Micron đã bắt đầu sản xuất số lượng lớn các đế chip LPDDR4X đầu tiên dùng tiến trình 10 nm thế hệ 2 (1Y nm) của hãng. Đây cũng là các đế DRAM tốc độ cao với tỉ lệ truyền tải đến 4266 Mbps trên mỗi pin (đây chính là bộ nhớ LPDDR4X xung thực 2133 MHz và hiện chỉ mới có Kirin 980 hỗ trợ), dung lượng mỗi đế 12 Gb và tiêu thụ ít điện năng hơn so với LPDDR4.

Theo Micron thì LPDDR4X mới sẽ tiết kiệm 10% điện năng so với LPDDR4 cùng tốc bởi điện áp VDDQ I/O thấp hơn, từ 1,1 V xuống còn 0,6 V. Mặc…

Micron sản xuất hàng loạt bộ nhớ LPDDR4X 4266 Mbps, tiến trình 10 nm, hứa hẹn giá rẻ hơn Samsung

Xem Nguon

Topics #cong nghe #dien thoai #may tinh #tin tuc cntt